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单晶硅,多晶硅生产流程。
1、先在多晶硅基片上制备掩模板，然后进行区域熔融，在熔融区做种晶，未熔区域的单晶向熔区生长，充分复用硅原料。 带籽法 在精炼的硅熔体中先引入取向的纳米级硅晶核，然后降温使单晶在种晶上缓慢生长。
2、加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。
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3、硅的制取顺序是：二氧化硅矿石--〉工业硅--〉多晶硅--〉单晶硅。单晶硅是用多晶硅经单晶炉拉制而成的，也有用区熔法制取单晶硅的。但是区熔单晶硅的位错密度较大。所以半导体器件多用拉制的单晶硅作原始材料。
4、高纯硅的制备化学方程式：SiO2+C=Si+2CO，Si+2Cl2=SiCl4，SiCl4+2H2=Si+4HCl，反应条件都是：高温。高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。
5、硅片的制作通常包括以下主要工艺流程： 单晶硅生长：通过化学气相沉积（CVD）或单晶硅浮区法等方法，在高温下将硅材料以单晶形式生长出来。这一步骤产生的单晶硅块被称为硅锭。
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